特許
J-GLOBAL ID:200903074000968730

ホログラムメモリ素子

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-090761
公開番号(公開出願番号):特開2000-285681
出願日: 1999年03月31日
公開日(公表日): 2000年10月13日
要約:
【要約】【課題】 照射光に対する感度を向上させることができるとともに、フォトボルタイック効果を抑制でき、光記録を正常に行わせることが可能な優れたホログラムメモリ素子を提供すること。【解決手段】 ニオブ酸リチウム単結晶体またはタンタル酸リチウム単結晶体中に、Mg,Sc,Zn,Inのいずれか1種以上とFeを合計1〜5モル%含有して成る。より好適には2〜4モル%含有して成るホログラムメモリ素子1とする。
請求項(抜粋):
ニオブ酸リチウム単結晶体またはタンタル酸リチウム単結晶体中に、Mg,Sc,Zn,Inの少なくとも1種とVIII 族元素を1〜5モル%含有して成るホログラムメモリ素子。
IPC (2件):
G11C 13/04 ,  G03H 1/02
FI (2件):
G11C 13/04 C ,  G03H 1/02
Fターム (11件):
2K008AA04 ,  2K008BB04 ,  2K008BB05 ,  2K008CC03 ,  2K008DD23 ,  2K008EE01 ,  2K008FF17 ,  2K008HH18 ,  2K008HH19 ,  2K008HH26 ,  2K008HH28

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