特許
J-GLOBAL ID：200903074001204822
受発光素子および光ヘッド並びに光ディスク装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野田 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-047115
公開番号（公開出願番号）：特開2004-259836
出願日： 2003年02月25日
公開日（公表日）： 2004年09月16日
要約：
【課題】小型化、低コスト化、低消費電力化を図りつつ、高周波重畳回路の不要輻射の影響を抑制する上で有利な受発光素子、光ヘッドおよび光ディスク装置を提供する。【解決手段】受発光素子10は、半導体基板12、発光素子16、第1乃至第3の受光素子18A、18B、18C、プリズム20、IV変換回路22、高周波重畳回路24を備えている。半導体基板12の内部には各受光素子18A、18B、18C、IV変換回路22、高周波重畳回路24が形成されている。高周波重畳回路24は、高周波信号を、発光素子16に供給される駆動信号に重畳させて発光素子16に供給する。各受光素子18A、18B、18CおよびIV変換回路22を囲むように分離帯40が設けられるとともに、高周波重畳回路24を囲むように分離帯40が設けられている。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
供給される駆動信号に基づいて出射光ビームを出射する発光素子と、
前記駆動信号に高周波電流を重畳する高周波重畳回路と、
前記出射光ビームが光記録媒体で反射された反射光ビームを検出して電流信号を出力する受光素子と、
前記受光素子から出力される電流信号を電圧信号に変換する電流電圧変換回路と、
半導体基板とを備え、
前記発光素子が前記半導体基板の表面に取着され、
前記高周波重畳回路、受光素子、電流電圧変換回路が前記半導体基板の内部に形成された受発光素子において、
前記高周波重畳回路と、受光素子および電流電圧変換回路との間を電気的に分離する分離帯が前記半導体基板の内部に設けられている、
ことを特徴とする受発光素子。
IPC (5件)：
H01S5/022
, G11B7/125
, G11B7/13
, G11B7/135
, H01L31/0232
H01S5/022
, G11B7/125 C
, G11B7/13
, G11B7/135 Z
, H01L31/02 D
5D789AA01
, 5D789CA10
, 5D789HA41
, 5F073AB21
, 5F073BA06
, 5F073EA29
, 5F073FA01
, 5F073FA12
, 5F073FA16
, 5F073FA21
, 5F073FA30
, 5F073GA15
, 5F073GA38
, 5F088AB01
, 5F088BA15
, 5F088BA20
, 5F088BB10
, 5F088EA09
, 5F088GA07
, 5F088GA10
, 5F088JA11
, 5F088KA10
