特許

J-GLOBAL ID：200903074004048945

半導体レーザ装置の製造方法

発明者： 伊地知 哲朗
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 長門 侃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-158875
公開番号（公開出願番号）：特開平11-008438
出願日： 1997年06月16日
公開日（公表日）： 1999年01月12日
要約：

【要約】【課題】 製造プロセスの初期段階でデバイス特性の分布を簡単に、高精度に予測して不良品を排除し、製造歩留りを高め得る半導体レーザ装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板上に一対のクラッド層に挟まれた活性層を順次エピタキシャル成長させた後、該エピタキシャル層にリッジを形成した段階で、活性層を光励起して該活性層におけるフォトルミネッセンスを測定し、この測定結果に基づいて良好な素子形成領域を選別する。そして選別された素子形成領域に対して電極形成を含むその後の製造処理を進めて半導体レーザ装置を製造する。特にリッジ形成後の活性層におけるフォトルミネッセンスの強度やスペクトルをエピタキシャル層の複数点、或いはその全面を走査して測定する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に一対のクラッド層に挟まれた活性層をエピタキシャル成長させた後、該エピタキシャル層にリッジを形成し、その後、電極を形成した後、素子分離して半導体レーザ装置を製造するに際し、前記リッジの形成後、前記活性層を光励起して該活性層におけるフォトルミネッセンスを測定し、この測定結果に基づいて半導体基板または素子形成領域を選別し、選別された半導体基板または素子形成領域に対して前記電極形成を含むその後の製造処理を進めることを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  G01J 3/443 ,  H01L 21/66

FI (3件)：

H01S 3/18 ,  G01J 3/443 ,  H01L 21/66 X