III族窒化物系化合物半導体素子

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小西富雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-266499
公開番号（公開出願番号）：特開2001-094150
出願日： 1999年09月21日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：

【要約】【目的】スパッタ法で形成されるバッファ層の膜厚の最適化を図る。【構成】基板上にスパッタ法でバッファ層を形成するとき、その膜厚を50Å以上3000Å以下とする。

請求項（抜粋）：

基板と該基板上に有機金属を原材料に用いない方法で形成された膜厚が50Å以上3000Å以下の第1のIII族窒化物系化合物層と、該第1のIII族窒化物系化合物層の上に形成された第2のIII族窒化物系化合物半導体層と、を備えてなるIII族窒化物系化合物半導体素子。

IPC (3件)：

H01L 33/00 , H01L 21/203 , H01L 21/205

FI (3件)：

H01L 33/00 C , H01L 21/203 S , H01L 21/205

Fターム (41件)：

5F041AA40 , 5F041CA05 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F041CA77 , 5F045AA04 , 5F045AA10 , 5F045AA12 , 5F045AA18 , 5F045AA19 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AD08 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AD16 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045CA10 , 5F045DA53 , 5F045DA54 , 5F045DA55 , 5F045HA16 , 5F103AA02 , 5F103AA05 , 5F103AA08 , 5F103DD30 , 5F103GG01 , 5F103HH04 , 5F103KK01 , 5F103LL02 , 5F103NN01 , 5F103NN06 , 5F103PP03 , 5F103PP15 , 5F103RR08

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開平2-081482
特開昭60-173829

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