特許
J-GLOBAL ID：200903074022336079
エチニルナフタレン誘導体
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 勝利
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-200352
公開番号（公開出願番号）：特開2000-034240
出願日： 1998年07月15日
公開日（公表日）： 2000年02月02日
要約：
【要約】【課題】 Δnが非常に大きく、TN-Iが高く、粘性が比較的小さいエチニルナフタレン誘導体であって、かつそのΔεの大きいp型の液晶性化合物を提供し、さらにこれを用いて低粘性でΔnが大きく、液晶温度範囲が広く、かつVthが低く低電圧駆動の可能な液晶組成物、更にはこの液晶組成物を構成要素とする液晶素子を提供する。【解決手段】 一般式(I)【化1】(R:C数1〜10のアルキル、環A:トランス-1,4-シクロヘキシレン、F原子により置換可能な1,4-フェニレン、L:-CH2CH2-、単結合、Xa、Xb及びXc:H原子、F原子。)のエチニルナフタレン誘導体、これを含有する液晶組成物及びこれを構成要素とする液晶素子。
請求項（抜粋）：
一般式(I)【化1】(式中、Rは炭素原子数1〜10のアルキル基を表し、環Aはトランス-1,4-シクロヘキシレン基又はフッ素原子により置換されていてもよい1,4-フェニレン基を表し、Lは-CH2CH2-又は単結合を表し、Xa、Xb及びXcはそれぞれ独立的に水素原子又はフッ素原子を表す。)で表されるエチニルナフタレン誘導体。
IPC (3件)：
C07C 25/24
, C09K 19/18
, C09K 19/32
C07C 25/24
, C09K 19/18
, C09K 19/32
4H006AA01
, 4H006AA03
, 4H006AB64
, 4H006EA43
, 4H027BA01
, 4H027BB10
, 4H027BD01
, 4H027BD02
, 4H027BD03
, 4H027BD05
, 4H027BD07
, 4H027BD09
, 4H027CT04
, 4H027DK04
