特許

J-GLOBAL ID：200903074023122382

II-VI族化合物半導体装置及びその製造方法

発明者： 村上 正紀 ,  小出 康夫 ,  寺口 信明
出願人/特許権者： 村上 正紀 ,  小出 康夫 ,  シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-066373
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264900
出願日： 1995年03月24日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【目的】 接触抵抗の小さい電極の構造に特徴を有し、特にオーミック接触を可能とする電極層を有するII-VI族化合物半導体装置及びその製造方法に関する。【構成】 II-VI族化合物半導体装置が、半導体基板上にZnXMg1-XSYSe1-Y(0≦X≦1、0≦Y≦1)半導体層を有し、該半導体層上にCd又はTeからなる添加物元素層と該添加物元素と共晶合金を形成しうる金属とを含んでなる電極層を有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にZnXMg1-XSYSe1-Y(0≦X≦1、0≦Y≦1)半導体層を有し、該半導体層上にCd又はTeからなる添加物元素層と該添加物元素と共晶合金を形成しうる金属とを含んでなる電極層を有することを特徴とするII-VI族化合物半導体装置。

IPC (7件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/363 ,  H01L 29/43 ,  H01L 33/00

FI (8件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 21/28 301 B ,  H01L 21/28 301 Z ,  H01L 21/363 ,  H01L 33/00 D ,  H01L 29/46 B ,  H01L 29/46 Z

引用特許：

出願人引用 (8件)

• 半導体素子及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-192153   出願人：株式会社日立製作所
• p型ZnSe用電極形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-334215   出願人：三洋電機株式会社
• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-004809   出願人：三菱化成株式会社, 三菱化成ポリテック株式会社
• 特開平4-057371
  
• オーミック電極及びその形成方法並びに発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-032741   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-151155   出願人：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ
• 特開平2-122565
  
• 半導体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-180804   出願人：三菱電機株式会社