整列した自立炭素ナノチューブおよびその合成

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：清水初志 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-554654
公開番号（公開出願番号）：特表2002-518280
出願日： 1999年06月18日
公開日（公表日）： 2002年06月25日
要約：

【要約】300°Cから3000°Cの温度での炭素発生源ガスおよび触媒ガスのプラズマ強化高温フィラメント化学蒸着により、最初に触媒膜または触媒ナノドットと共に配設された基板の外面上で、高度に配向した1つまたは複数の多重壁炭素ナノチューブを成長させる。炭素ナノチューブは、成長条件に応じて、直径が4nmから500nmまで、長さが0.1μmから50μmまでの範囲である。炭素ナノチューブの密度は104個/mm2を超えることができる。炭素発生源ガスとしてアセチレンが使用され、触媒ガスとしてアンモニアが使用される。プラズマ強度、炭素発生源ガスと触媒ガスの比およびこれらのガスの流量、触媒膜の厚さ、および化学蒸着の温度は、炭素ナノチューブの長さ、直径、密度、および一様性に影響を与える。本発明の炭素ナノチューブは、電気化学応用分野と、電子放出応用分野、構造複合物応用分野、材料貯蔵応用分野、および超小形電極応用分野で有用である。

請求項（抜粋）：

基板1平方ミリメートル当たり104個を超える密度で基板に付着させられた、実質的に整列した複数の炭素ナノチューブを備えるプロダクト。

IPC (9件)：

C01B 31/02 101 , C23C 16/26 , H01J 1/304 , H01J 9/02 , H01J 29/04 , H01J 31/12 , H01J 37/073 , H01M 8/06 , H01M 8/10

FI (9件)：

C01B 31/02 101 F , C23C 16/26 , H01J 9/02 B , H01J 29/04 , H01J 31/12 C , H01J 37/073 , H01M 8/06 R , H01M 8/10 , H01J 1/30 F

Fターム (26件)：

4G046CA02 , 4G046CB03 , 4G046CB09 , 4G046CC06 , 4K030AA09 , 4K030AA13 , 4K030AA18 , 4K030BA27 , 4K030CA04 , 4K030CA06 , 4K030CA12 , 4K030FA01 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 5C030CC02 , 5C031DD17 , 5C036EF01 , 5C036EF06 , 5C036EF09 , 5C036EG02 , 5C036EG12 , 5C036EH11 , 5H026AA06 , 5H026BB00 , 5H026BB04 , 5H027BA13

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