非鉛系接合体

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：外川英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-096447
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284384
出願日： 2000年03月31日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：

【要約】【課題】従来はんだ付け作業には不向きとされていた亜鉛を含むはんだ合金を、電子材料の電極部に階層的に用いることで接合時の反応層の成長を抑制し、信頼性を確保することを課題とする。【解決手段】シリコン基板もしくはシリコン基板の上に設けられた導電体と、鉛を含まない錫を含む合金との間に亜鉛を含有する層を介在させて一体化させた電極は、微細化する電極部の外側に向かって溶融温度が低くなる階層構造を形成するため、リペアー性の確保が可能となる。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、この半導体基板上に形成された通電用の金属層と、この金属層上に形成され亜鉛、及び銀から選ばれた金属と前記金属層の主成分との合金層と、この合金層上に形成され錫を主成分とする錫リッチ層と、この錫リッチ層上に形成され主成分を錫、副成分を前記金属とする鉛フリーはんだ層とを具備することを特徴とする非鉛系接合体。

IPC (4件)：

H01L 21/60 , H01L 21/60 311 , B23K 35/26 310 , H05K 3/34 501

FI (6件)：

H01L 21/60 311 S , B23K 35/26 310 A , H05K 3/34 501 F , H01L 21/92 603 B , H01L 21/92 603 E , H01L 21/92 603 F

Fターム (11件)：

5E319AA03 , 5E319AB05 , 5E319AC17 , 5E319BB01 , 5E319BB04 , 5E319CC33 , 5E319CD57 , 5F044KK05 , 5F044LL01 , 5F044QQ03 , 5F044QQ06

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