特許
J-GLOBAL ID：200903074036647379
絶縁ゲート形電界効果トランジスタ及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-218866
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055589
出願日： 1991年08月29日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：
【要約】【目的】 入力容量、帰還容量を低減した、ON抵抗の低い、且つ、高信頼性の縦型のMOSFETを実現し、合わせて、簡単な工程によるその製造方法を提供する。【構成】 縦型のMOSFETのゲート絶縁膜4を、酸化膜6/窒化膜7/酸化膜8の三層構造とし、窒化膜により選択酸化された厚い酸化膜12をドレイン領域上に設ける構成とした。又、ドレイン領域に高濃度の拡散層11を厚い酸化膜12と同時に形成する。更に、フィールド窒化膜をゲート絶縁膜の窒化膜形成と同時に行う。。
請求項（抜粋）：
ドレイン領域を構成する半導体基板と、該半導体基板の表面に設けられたチャンネル拡散領域と、該チャンネル拡散領域内に設けられたソース拡散領域と、前記チャンネル拡散領域の上に設けられたゲート絶縁膜を介して前記ドレイン領域と前記ソース領域の導通を制御するゲート電極とからなる絶縁ゲート形電界効果トランジスタにおいて、前記ゲート絶縁膜は、酸化膜と窒化膜と酸化膜の三層構造であり、該窒化膜により選択酸化された厚い酸化膜を前記ドレイン領域上に具備することを特徴とする絶縁ゲート型電界効果トランジスタ。
IPC (4件)：
H01L 29/784
, H01L 21/316
, H01L 21/336
, H01L 21/318
H01L 29/78 321 G
, H01L 21/94 A
, H01L 29/78 321 Y
