特許
J-GLOBAL ID：200903074038810846
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-044751
公開番号（公開出願番号）：特開平11-243142
出願日： 1998年02月26日
公開日（公表日）： 1999年09月07日
要約：
【要約】【課題】 半導体素子における素子領域に結晶欠陥を引き起こすことなく、素子および素子分離領域を小さくすると共に、素子間容量を低減する。【解決手段】 半導体基板1に溝を形成した後、溝の開口部に多結晶シリコン6を形成する。そして、多結晶シリコン6を熱酸化させてシリコン酸化膜8とし、膨張させて開口部を狭める。この熱酸化の際、シリコン窒化膜5が酸化防止膜として働くため半導体基板1は全く酸化されない。また、熱酸化によりシリコン酸化膜8が開口部を完全に塞がないようにすることにより、溝の開口部に応力が発生しないようにしている。次に、リフロー性が無いCVD酸化膜9を全面に形成し、溝の開口部を完全に塞ぎ、空洞11を形成する。
請求項（抜粋）：
(1)半導体基板に溝を形成する工程と、(2)前記半導体基板の全面に耐酸化性の第1絶縁膜を形成する工程と、(3)前記溝の開口部の前記第1絶縁膜上に、熱酸化により膨張する物質の膜を形成する工程と、(4)前記熱酸化により膨張する物質の膜を熱酸化し、該開口部を狭める工程と、(5)リフロー性が低い絶縁膜により前記開口部を塞ぐ工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
引用特許：
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