半導体装置の検査方法および検査装置

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：高田守 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-375980
公開番号（公開出願番号）：特開2002-181893
出願日： 2000年12月11日
公開日（公表日）： 2002年06月26日
要約：

【要約】【課題】内蔵試験機能を有する半導体装置の内蔵試験機能自体の不良による過剰な不良判定を防止する。【解決手段】内蔵試験機能を有する半導体素子の検査機能部の自己診断及び検査機能部による本体回路部の試験を行っていずれかの結果が不良の場合に不良と判定する良否判定を行い記憶する第1の工程39と、第1の工程39で不良と判定された全半導体素子について外部からの試験信号に基づき本体回路部の試験を行い良否判定する第2の工程41と、第1の工程39で不良と判定された半導体素子のうち第2の工程41において本体回路部が良と判定された半導体素子を良と判定する第3の工程43とを含む検査方法である。

請求項（抜粋）：

ウエハに複数配設され本体回路部とこの本体回路部を検査する検査機能部と外部信号により前記本体回路部または検査機能部へ試験信号を切り替える切替え回路部とを有する半導体素子の前記切替え回路部を介して試験信号を検査機能部に印加するとともに、この試験信号に基づき検査機能部の自己診断及び検査機能部による本体回路部の試験を行い、この検査機能部の自己診断及び検査機能部による本体回路部の試験結果のいずれか一方の検査結果が不良であれば不良と判定する良否判定を行い、この良否判定結果を記憶する第1の工程と、第1の工程において不良と判定された半導体素子の切替え回路部を介して本体回路部に試験信号を印加するとともに、この試験信号に基づき本体回路部の試験を行い良否判定を行う第2の工程と、第2の工程において本体回路部が良と判定された半導体素子を良と総合判定する第3の工程と、を含む半導体装置の検査方法。

IPC (6件)：

G01R 31/28 , G11C 29/00 651 , G11C 29/00 671 , H01L 21/66 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (5件)：

G11C 29/00 651 Z , G11C 29/00 671 B , H01L 21/66 F , G01R 31/28 V , H01L 27/04 T

Fターム (30件)：

2G032AC10 , 2G032AE07 , 2G032AE10 , 2G032AK11 , 2G032AK14 , 2G032AK19 , 2G032AL00 , 4M106AA01 , 4M106AA08 , 4M106AC02 , 4M106AC08 , 4M106AC09 , 4M106BA01 , 4M106BA14 , 4M106CA01 , 4M106DJ11 , 4M106DJ38 , 5F038DF05 , 5F038DT02 , 5F038DT08 , 5F038DT15 , 5F038DT17 , 5F038DT18 , 5F038DT19 , 5F038EZ20 , 5L106DD21 , 5L106DD22 , 5L106DD25 , 5L106EE00 , 5L106EE05

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