特許

J-GLOBAL ID：200903074046412523

光電変換素子、及びその製造方法

発明者： 山崎 芳文 ,  山口 康浩 ,  石井 徹
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 中島 淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-101399
公開番号（公開出願番号）：特開2002-298936
出願日： 2001年03月30日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：

【要約】【課題】 パターニングや大面積化が容易で、成膜設備が簡便で低コストで、生産性が高い光電変換素子、及びその製造方法を提供すること。【解決手段】導体層が設けられた光半導体電極と、対向電極と、前記光半導体電極及び前記対向電極との間に挟持されてなる電解質層と、を有し、前記対向電極が、バインダー中に導電性材料を分散してなる導電性膜を有することを特徴とする光電変換素子、及びその製造方法である

請求項（抜粋）：

半導体層が設けられた光半導体電極と、対向電極と、前記光半導体電極及び前記対向電極との間に挟持されてなる電解質層と、を有する光電変換素子であって、前記対向電極が、バインダー中に導電性材料を分散してなる導電性膜を有することを特徴とする光電変換素子。

IPC (2件)：

H01M 14/00 ,  H01L 31/04

FI (2件)：

H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z

Fターム (19件)：

5F051AA01 ,  5F051AA09 ,  5F051AA14 ,  5F051AA18 ,  5F051AA20 ,  5F051FA03 ,  5F051FA06 ,  5F051GA03 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB05 ,  5H032BB07 ,  5H032CC11 ,  5H032CC16 ,  5H032EE01 ,  5H032EE02 ,  5H032EE04 ,  5H032EE12 ,  5H032EE18