特許
J-GLOBAL ID:200903074049583965

半導体装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-366509
公開番号(公開出願番号):特開2001-196402
出願日: 1996年11月27日
公開日(公表日): 2001年07月19日
要約:
【要約】【課題】 エポキシ樹脂封止材料を用い射出成形により半導体封止を長時間連続して実施すること。【解決手段】 半導体素子が接合されワイヤボンディングされたリードフレーム、又は半導体素子が接合されたリード線を、射出成形金型にインサートとして固定し、前記金型にエポキシ樹脂封止材料を射出成形機により射出充填し、硬化させることにより樹脂封止された半導体装置を製造する方法において、エポキシ樹脂封止材料として、エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、無機質充填材を必須成分として含有し、エポキシ樹脂が特定のエポキシ樹脂であり、硬化剤が特定のフェノール樹脂であるエポキシ樹脂封止材料を用い、射出成形機の加熱シリンダーを複数のゾーンに分割し、各ゾーンをそれぞれ独立に温度制御し、最ノズル側ゾーンを65〜110°Cに制御し、最ホッパー側ゾーンを常温〜50°Cに制御することを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項(抜粋):
半導体素子が接合されワイヤボンディングされたリードフレーム、又は半導体素子が接合されたリード線を、射出成形金型にインサートとして固定し、前記金型にエポキシ樹脂封止材料を射出成形機により射出充填し、硬化させることにより樹脂封止された半導体装置を製造する方法において、エポキシ樹脂封止材料として、エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、無機質充填材を必須成分として含有し、エポキシ樹脂が軟化点が50〜80°Cのノボラック型エポキシ樹脂又はビフェノール型エポキシ樹脂であり、硬化剤が軟化点が60〜120°Cのフェノール樹脂であるエポキシ樹脂封止材料を用い、射出成形機の加熱シリンダーを複数のゾーンに分割し、各ゾーンをそれぞれ独立に温度制御し、最ノズル側ゾーンを65〜110°Cに制御し、最ホッパー側ゾーンを常温〜50°Cに制御することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (12件):
H01L 21/56 ,  B29C 45/14 ,  B29C 45/38 ,  B29C 45/46 ,  B29C 45/74 ,  B29C 45/78 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  B29K 63:00 ,  B29K105:16 ,  B29K105:20 ,  B29L 31:00
FI (11件):
H01L 21/56 T ,  B29C 45/14 ,  B29C 45/38 F ,  B29C 45/46 ,  B29C 45/74 ,  B29C 45/78 ,  B29K 63:00 ,  B29K105:16 ,  B29K105:20 ,  B29L 31:00 ,  H01L 23/30 R

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