半導体レーザ装置及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大垣孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-318405
公開番号（公開出願番号）：特開平9-162492
出願日： 1995年12月06日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】可飽和吸収体を用いて整形されたパルス光の受動モード同期動作が可能な半導体レーザを提供する。【解決手段】半導体レーザを上から見た平面図(A)において、46はP側電極、28はInPブロック層、32はコンタクト層である。(B)は導波路層の高さでの水平断面図で、10,11はInGaAsP(バンドギャップ1.3μm)の導波路領域、16,17は同じ材料で組成の異なるバンドギャップ1.55μmの活性領域、12は導波方向に直交して挿入された非線形光学材料の平面導波路領域である。活性領域16,17は利得部18を構成し、10,11,12から成る導波部14とで共振器20を構成する。この共振器では、可飽和効果のために強い光は領域12の導波路の中心に集束され、弱い光は導波路領域10,11から領域12内に回折効果で発散させられる。その結果、整形された短パルス光が受動モード同期でレージングされる。

請求項（抜粋）：

光の導波方向に沿って活性領域と所要に応じて設けられる導波路領域とを含む共振器を具える半導体レーザ装置において、前記共振器の領域として、前記導波方向と直交する方向に横切っていて非線形光学材料から成る平面導波路領域を具え、該平面導波路領域は、前記共振器中を導波されている光を回折効果により発散させる領域として形成して成ることを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (3件)：

H01S 3/18 , G02F 1/35 , H01S 3/098

FI (3件)：

H01S 3/18 , G02F 1/35 , H01S 3/098

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