特許
J-GLOBAL ID：200903074054656270
化学気相成長装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-173535
公開番号（公開出願番号）：特開平5-025644
出願日： 1991年07月15日
公開日（公表日）： 1993年02月02日
要約：
【要約】【目的】 光CVD 装置に関し,紫外線透過窓に堆積する膜の吸収による紫外線照射強度の低下を回避する手段を設けて均質な膜の形成を可能とすることを目的とする。【構成】 膜形成が行われる基板上における紫外線照射強度を測定する検出器と, この検出器の出力が一定となるように, 光源ランプの駆動電力または温度を制御する制御装置とを設ける。
請求項（抜粋）：
薄膜を構成する成分元素を含有する原料ガスが導入され且つ該原料ガスに紫外線を照射することによって該薄膜が成長する基板が収容される真空排気可能な容器と,該容器の一部に設けられた紫外線透過窓と,該容器内の該基板に対して該紫外線透過窓を通して紫外線を照射する光源と,該基板上における該紫外線の強度を測定するための検出器と,該検出器の出力が所定値になるように該光源に対する供給電力を制御する制御装置とを備えたことを特徴とする化学気相成長装置。
IPC (4件)：
C23C 16/48
, B01J 19/12
, H01L 21/31
, H01L 21/205
