特許
J-GLOBAL ID：200903074063806845
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-092632
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129333
出願日： 1992年04月13日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：
【要約】【目的】 薄膜多結晶シリコンをチャネル部に用いたトランジスタを有する半導体装置の特性を向上する。【構成】 半導体装置は、ゲート電極2、ソース・ドレイン領域3及びチャネル部4により構成されたトランジスタを有する。薄膜多結晶シリコンで形成されたソース・ドレイン領域3及びチャネル部4にはダングリングボンドがあり、トランジスタの特性が劣化する。ダングリングボンドを終結させるため、プラズマシリコン窒化膜16より水素を拡散してチャネル部4に水素を導入する。水素はシリコン窒化膜6を通過できないので、シリコン窒化膜6を開口し、開口部に埋め込まれた金属プラグ9の界面を伝ってチャネル部4に水素が到達する。【効果】 シリコン窒化膜6を開口することにより、ダングリングボンドを終結させて、半導体装置の特性を向上させることができる。
請求項（抜粋）：
チャネル部に多結晶半導体薄膜を用いたトランジスタと、前記トランジスタの上に形成されたシリコン窒化膜とを備え、前記シリコン窒化膜を通過することができない物質を前記トランジスタのチャネル部に導入するため、前記シリコン窒化膜を開口したことを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
, H01L 27/11
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 29/78 311 Y
, H01L 27/10 381
, H01L 29/78 311 N
, H01L 29/78 371
