特許
J-GLOBAL ID：200903074064714464
裏面照射型固体撮像素子およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-148981
公開番号（公開出願番号）：特開平9-331052
出願日： 1996年06月11日
公開日（公表日）： 1997年12月22日
要約：
【要約】【課題】 電荷結合素子を構成する酸化膜やポリSi電極の残留応力の影響によって受光領域が凹凸に変形することなく、受光領域の平面性、機械的強度および信頼性が高い裏面照射型固体撮像素子とそれに適した製造方法とを提供する。【解決手段】 Si基板の表面側に1次元または2次元に配列されている電荷結合素子を具備し、Si基板のうちの電荷結合素子が配列されている受光領域1が、画素ピッチと同等またはそれ以下の厚さであり、Si基板の裏面側から光4を入射させる裏面照射型固体撮像素子であって、Si基板のうちの受光領域を含む部分が、画素ピッチと同等またはそれ以下の厚さのSi層2とSi層よりも厚いSiO2 層3とを備える。
請求項（抜粋）：
Si基板の表面側に1次元または2次元に配列されている電荷結合素子を具備し、該Si基板のうちの該電荷結合素子が配列されている受光領域が、画素ピッチと同等または該画素ピッチ以下の厚さであり、該Si基板の裏面側から光を入射させる裏面照射型固体撮像素子において、該Si基板のうちの該受光領域を含む部分が、該画素ピッチと同等または該画素ピッチ以下の厚さのSi層と該Si層よりも厚いSiO2 層とを備えることを特徴とする、裏面照射型固体撮像素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 27/14 A
, H01L 31/04 X
