特許

J-GLOBAL ID：200903074066225290

光起電力デバイス

発明者： 松田 高一 ,  佐野 政史 ,  村上 勉
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 荻上 豊規
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-085105
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021494
出願日： 1993年03月22日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 初期の光起電力特性を良好にするとともに、光照射後の特性劣化を抑制した光起電力デバイスを提供すること。【構成】 I層(104)を構成するアモルファスシリコンゲルマニウムにおけるGe原子の含有量を20乃至70原子%の範囲とし、Ge原子の含有量が層厚方向において極大値(Cmax)をもつように分布させるとともに、p型層(105)及びn型層(103)と接する側にGe原子を含まない非単結晶シリコンバッファ層(117,118)を設ける。【作用】 劣化し難い組成比のアモルファスシリコンゲルマニウムでi型層の組成比に傾斜をもたせることにより、光キャリアの再結合による欠陥の発生を抑える。

請求項（抜粋）：

非単結晶半導体からなるp型層とi型層とn型層とを有し、該i型層と該p型層との間及び該i型層と該n型層との間にそれぞれバッファ層が設けられている光起電力デバイスであって、前記i型層は層内全ての領域でのGe原子の含有量が20原子%乃至70原子%の範囲内であるアモルファスシリコンゲルマニウムからなり、且つ該i型層の層厚方向にGe原子の含有量が変化し、Ge原子の含有量の極大値をもっており、前記バッファ層はGe原子を実質的に含まない非単結晶シリコンからなることを特徴とする光起電力デバイス。

FI (2件)：

H01L 31/04 B ,  H01L 31/04 W

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭64-071182
  
• 特開昭62-224981