特許
J-GLOBAL ID：200903074066574961
基板の表面処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-227751
公開番号（公開出願番号）：特開平8-092747
出願日： 1994年09月22日
公開日（公表日）： 1996年04月09日
要約：
【要約】【目的】 大気圧近傍の圧力下で低電圧で放電プラズマを発生させプラズマによる基板の表面処理を短時間で行う方法を提供する。【構成】 対向する金属電極4、5の少なくとも一方の対向面が、酸化チタニウム5〜50重量%、酸化アルミニウム50〜95重量%で混合された金属酸化物被膜が形成された金属板6によって完全に覆われているプラズマ発生装置の、金属電極間に基板7を設置し、反応ガスと不活性ガスとの混合ガスの大気圧近傍の圧力下で電極に電圧を印加して放電プラズマを発生させ、そのプラズマによって励起された活性種を基板7表面に接触させることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
対向する金属電極の少なくとも一方の対向面が、酸化チタニウム5〜50重量%、酸化アルミニウム50〜95重量%で混合された金属酸化物被膜によって完全に覆われているプラズマ発生装置の、金属電極間に基板を設置し、反応ガスと不活性ガスとの混合ガスの大気圧近傍の圧力下で電極に電圧を印加して放電プラズマを発生させ、そのプラズマによって励起された活性種を基板表面に接触させることを特徴とする基板の表面処理方法。
IPC (2件)：
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