特許
J-GLOBAL ID：200903074070509562
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-032072
公開番号（公開出願番号）：特開平5-235264
出願日： 1992年02月19日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置において、電極とキャパシタの界面で、酸化シリコンなどの低誘電率の酸化物が生成するのを抑制し、前記酸化物のない半導体装置をうる。【構成】 ダイナミックランダムアクセスメモリー装置などのキャパシタを構成素子として有する半導体装置で、キャパシタの電極材料として電気導伝性酸化物膜を使用する。
請求項（抜粋）：
キャパシタを構成素子として有する半導体装置であって、キャパシタの電極材料として電気伝導性酸化物膜を使用したことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 27/04
, H01L 27/108
, H01L 29/46
