改善された発光ダイオード

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡部正夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-341861
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275739
出願日： 1992年12月22日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】通常のLEDより発光効率が高く,またスペクトル線幅の狭いLEDを提供する。【構成】底部電極11をつけた基板(例えばGaAs)12上にGaAsとAlAsまたは適当な化合物半導体の混晶で屈折率が半波長の整数倍で周期的に変化するDBRミラー層13,底部閉じ込め層14,活性層15,接触層17,最上部電極18を順に積層する。電極18には光出射用の開孔19を設ける。接触層17と電極18との界面が上部ミラーとして働き,これとDBRミラー層13とでファブリ・ペロー共振器を形成し,活性層15はこの共振器内に位置する。【効果】共振器の上下のミラーの反射率をレーザの場合より低く設定しているので,レーザではなくLEDとして動作し,共振器をもたない通常のLEDよりも効率よく,かつ狭い線幅で自然放出光を取り出し得る。

請求項（抜粋）：

半導体材料の複数の層と構造の相対する面上の底部及び最上部電極を含む半導体構造において、前記半導体材料は III-V族及びII-VI族化合物半導体材料から選択され、前記構造は下から上へ順に、第1の伝導形の基板、第1の伝導形の底部閉じ込め層、順方向バイアス条件下で自発発光ができる活性層、LEDの光空胴を形成する第2の伝導形の最上部閉じ込め層及び底部閉じ込め層と活性層、第2の伝導形の半導体接触層、を含み、前記最上部電極は前記接触層の上部表面と接触し、接触層とオーム性接触を形成する発光ダイオード(LED)において、底部ミラー及び最上部ミラーは、前記光空胴の相対する側に配置され、ファブリーペロー共振器を形成し、前記底部ミラーは底部閉じ込め層と基板の間に配置され、高反射率ミラー(RB ≧99%)で、前記最上部ミラーは最上部閉じ込め層の近くに配置され、低ないし中程度の反射率ミラー(RT は約25%-99%)であることを特徴とするLED。

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-085774
特開平2-281762
特開平3-236295

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