特許

J-GLOBAL ID：200903074078938276

低損失フェライト材料及びこれを用いた信号用チップインダクタ

発明者： 藏本 俊孝 ,  石田 千里
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-108118
公開番号（公開出願番号）：特開平9-295862
出願日： 1996年04月26日
公開日（公表日）： 1997年11月18日
要約：

【要約】【課題】高周波領域における相対損失係数tanδ/μが小さく(Q値が大きく)、かつ緻密で温度特性の優れたフェライト材料を得る。【解決手段】45〜55重量%のFe2 O3 と、1〜15重量%のZnOと、5〜40重量%のNiOを主成分とするフェライト材料において、上記主成分100重量部に対し、0.01〜5重量部のCoOと、0.01〜3重量部のBi2O3 と、0.01〜3重量部のAl2 O3 を含有する。

請求項（抜粋）：

45〜55重量%のFe2 O3 と、1〜15重量%のZnOと、5〜40重量%のNiOから成る主成分100重量部に対し、0.01〜5重量部のCoOと、0.01〜3重量部のBi2 O3 と、0.01〜3重量部のAl2 O3 を含有することを特徴とする低損失フェライト材料。

IPC (4件)：

C04B 35/30 ,  C01G 49/00 ,  H01F 1/34 ,  H01F 17/04

FI (4件)：

C04B 35/30 Z ,  C01G 49/00 A ,  H01F 17/04 A ,  H01F 1/34 A

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開平1-101609
  
• 特開平3-218962
  

審査官引用 (1件)

• 特開平1-101609