特許

J-GLOBAL ID：200903074079868891

リードレスチツプキヤリア型ハイブリツドIC

発明者： 中村 茂美
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-164824
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013611
出願日： 1991年07月05日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：

【要約】【構成】基板の裏面に凹部11を有して、表面の孤立パターン7に設けたスルーホール8が、この凹部11につながるという構造を有している。【効果】マルチチップ構成のLCC型ハイブリッドICが容易に実現できる効果を有する。又、裏面の大部分を凹部とすることで基板の周囲が上方にソリを持つ場合に対して、ソリ量の削減効果も得られる。

請求項（抜粋）：

側面スレーホールを有し、複数の半導体IC及び複合抵抗チップをワイヤボンディング法にて実装及び接続しモールドして成るリードレスチップキャリア型ハイブリッドICにおいて、外部端子に接続されていない孤立配線パターンに配線基板裏面凹部につながるスルーホールを有することを特徴とするリードレスチップキャリア型ハイブリッドIC。