特許

J-GLOBAL ID：200903074079949409

シリコンウェハの外因性ゲッタリング能力の評価方法

発明者： 中静 恒夫 ,  田中 治樹 ,  滝山 真功
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 吉島 寧 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-113183
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291266
出願日： 1992年04月07日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：

【要約】【目的】 シリコンウェハの不純物を低減させる目的でウェハ裏面に意図的に形成した欠陥の不純物ゲッタリング能力を評価することを目的とする。【構成】 p型シリコンウェハに検出媒体として、Niをウェハ表面に一定量(1012〜1014atoms/cm2)付着させ、900°C以上1200°C以下の熱処理を行ない、表面に析出したNi量をNi付着量で除した値で、外因性ゲッタリング能力を評価する。【効果】 外因性ゲッタリングの能力のみの評価が可能となり、ゲッタリング能力に優れた外因性ゲッタリングウェハの開発が可能となる。

請求項（抜粋）：

シリコンウェハの表面に外因性ゲッターシンクを有するp型シリコンウェハの外因性ゲッタリング能力の評価において、ゲッタリング能力を検出する検出媒体としてNiを用いて、前記Niをシリコンウェハの表面に一定の付着量で付着させる付着処理を施し、続いて900°C以上1200°C以下の温度に加熱して冷却する拡散熱処理を施し、続いて拡散熱処理の冷却過程でシリコンウェハ表面に析出したNi析出量を求め、前記Ni付着量を前記Ni析出量で除した値によって前記シリコンウェハのゲッタリング能力を評価することを特徴とするシリコンウェハの外因性ゲッタリング能力の評価方法。

IPC (2件)：

H01L 21/322 ,  H01L 21/66