特許
J-GLOBAL ID:200903074080180518

光電極及びこれを備えた色素増感型太陽電池

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-335369
公開番号(公開出願番号):特開2003-142170
出願日: 2001年10月31日
公開日(公表日): 2003年05月16日
要約:
【要約】【課題】 優れた入射光の利用効率を有する光電極及び優れたエネルギー変換効率を有する色素増感型太陽電池の提供。【解決手段】 光電極10は、受光面F2を有する半導体電極2と、受光面F2上に隣接して配置された透明電極1とを有する。半導体電極2は増感色素と酸化物半導体粒子とを含む複数の層から構成されており、その中で透明電極に対して最も近い位置に配置される最内部の層21の層厚が1〜5μmであり、この層の酸化物半導体粒子の平均粒子径が70nm以下であり、該酸化物半導体粒子中、粒子径が100nm以上である粒子の割合が5質量%以下である。複数の層のうち透明電極に対して最も遠い位置に配置される最外部の層22の層厚が5〜49μmであり、この層の酸化物半導体粒子は、平均粒子径が70nm以下の粒子と、平均粒子径が150nm以上の粒子である。色素増感型太陽電池20はこの光電極10を備える。
請求項(抜粋):
受光面を有する半導体電極と、当該受光面上に隣接して配置された透明電極とを有する光電極であって、前記半導体電極が増感色素と酸化物半導体粒子とを含む複数の層から構成されており、前記複数の層の中で前記透明電極に対して最も近い位置に配置される最内部の層の層厚が1〜5μmであり、前記最内部の層に含まれる前記酸化物半導体粒子の平均粒子径が70nm以下であり、かつ、該酸化物半導体粒子中、粒子径が100nm以上である粒子の割合が5質量%以下であり、前記複数の層の中で前記透明電極に対して最も遠い位置に配置される最外部の層の層厚が5〜49μmであり、前記最外部の層に含まれる前記酸化物半導体粒子は、平均粒子径が70nm以下の粒子と、平均粒子径が150nm以上の粒子とであること、を特徴とする光電極。
IPC (2件):
H01M 14/00 ,  H01L 31/04
FI (2件):
H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z
Fターム (12件):
5F051AA14 ,  5F051CB13 ,  5F051FA03 ,  5F051FA18 ,  5F051FA30 ,  5F051GA03 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032CC14 ,  5H032EE02 ,  5H032EE16 ,  5H032HH04
引用特許:
審査官引用 (1件)
  • 光電変換素子
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平11-274000   出願人:株式会社東芝

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