特許
J-GLOBAL ID:200903074080281420
磁気記録媒体の製造方法
発明者:
,
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
松山 圭佑
, 高矢 諭
, 牧野 剛博
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-303263
公開番号(公開出願番号):特開2005-071542
出願日: 2003年08月27日
公開日(公表日): 2005年03月17日
要約:
【課題】所定の凹凸パターンで形成された記録層を有し、且つ、表面が充分に平坦な磁気記録媒体を効率良く確実に製造することができる磁気記録媒体の製造方法を提供する。【解決手段】非磁性材充填工程において、単位時間当たりの成膜厚さである成膜レートV、バイアスパワーが0における成膜レートV0、非磁性材の成膜厚さt、記録要素の幅L、記録要素間の凹部の深さdが、次式(I)が成立するようにスパッタリング条件を調節して被加工体10に非磁性材を成膜・充填する。 0.1≦V/V0≦-(0.003×L・d)/t+1.2...(I)【選択図】図3
請求項(抜粋):
基板上に記録層が所定の凹凸パターンで形成され、該凹凸パターンの凹部が非磁性材で充填された磁気記録媒体の製造方法であって、
前記基板上に前記記録層が前記所定の凹凸パターンで形成された被加工体にバイアスパワーを印加しつつ該被加工体の表面に前記非磁性材を成膜して前記凹部に前記非磁性材を充填し、且つ、前記バイアスパワーを含む成膜加工条件を調節することにより前記非磁性材の単位時間当たりの成膜厚さである成膜レートVを調節可能とされた非磁性材充填工程を含んでなり、前記バイアスパワーが0の場合の前記成膜レートをV0、前記非磁性材の成膜厚さをt、前記凹凸パターンの凸部の幅をL、前記凹部の深さをdとして、次式(I)が成立するように前記成膜加工条件を調節して該非磁性材充填工程を実行するようにしたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
0.1≦V/V0≦-0.003×(L・d/t)+1.2...(I)
IPC (3件):
G11B5/84
, G11B5/65
, G11B5/855
FI (4件):
G11B5/84 Z
, G11B5/84 A
, G11B5/65
, G11B5/855
Fターム (7件):
5D006BB07
, 5D006DA04
, 5D112AA18
, 5D112AA20
, 5D112AA24
, 5D112FA04
, 5D112GA20
引用特許:
前のページに戻る