特許

J-GLOBAL ID：200903074090993266

不揮発性記憶素子の製造方法

発明者： 山田 浩之 ,  山岸 万千雄 ,  寺本 茂樹 ,  松下 孟史
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山口 邦夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-135243
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335586
出願日： 1992年05月27日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：

【要約】【目的】第1ゲート絶縁膜/フローティングゲート/第2ゲート絶縁膜/コントロールゲートを有する不揮発性記憶素子の記憶保持特性を向上させる。【構成】第1ゲート絶縁膜/フローティングゲート/第2ゲート絶縁膜/コントロールゲートを有する不揮発性記憶素子の製造方法であって、不揮発性記憶素子の上記第1ゲート絶縁膜7を形成した後に、半導体基板1の上方全面に、不純物を導入したポリシリコン膜8を形成する工程と、上記ポリシリコン膜8の表面を研磨し、表面を平坦にする工程と、上記ポリシリコン膜8aをパターニングして上記フローティングゲート9を形成する工程と、上記フローティングゲート9上に、上記第2ゲート絶縁膜上にボロンの導入したポリシリコン膜からなるコントロールゲートを形成する工程を含む。

請求項（抜粋）：

第1ゲート絶縁膜/フローティングゲート/第2ゲート絶縁膜/コントロールゲートを有する不揮発性記憶素子の製造方法であって、不揮発性記憶素子の前記第1ゲート絶縁膜を形成した後に、半導体基板の上方に不純物を導入したポリシリコン膜を形成する工程と、前記ポリシリコン膜の表面を研磨して表面を平坦にする工程と、前記ポリシリコン膜をパターニングして前記フローティングゲートを形成する工程と、前記フローティングゲート上に前記第2ゲート絶縁膜を形成する工程と、前記第2ゲート絶縁膜上にボロンを導入したポリシリコン膜からなる前記コントロールゲートを形成する工程を含むことを特徴とする不揮発性記憶素子の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792