特許
J-GLOBAL ID：200903074091414367
異方導電フィルムの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-160394
公開番号（公開出願番号）：特開平5-325669
出願日： 1992年05月26日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：
【要約】【目的】 絶縁性フィルムの少なくとも片面にバンプを有する異方導電フィルムを製造するにあたり、絶縁性フィルム内の導通路の大きさやバンプの大きさが均一で、電気的接続信頼性が高い異方導電フィルムの製造方法を提供する。【構成】 絶縁性フィルム1の片面にベース金属層2を、他面にマスク層3を密着積層した3層基材を用い、マスク層側から貫通孔4を形成する。絶縁性フィルム1にレーザー光で貫通孔を形成したのち、レーザー照射によって貫通孔開口部周辺に付着する分解物断片をマスク層と共に除去する。貫通孔4には電解メッキによって金属物質5を充填して導通路を形成する。バンプは貫通孔底部を凹状に研磨したり、メッキ充填によって導通路を突出させることによって形成する。
請求項（抜粋）：
絶縁性フィルムの厚み方向に互いに独立する金属物質からなる導通路を有し、絶縁性フィルム表面から金属物質が突出してなる異方導電フィルムの製造方法において、?@絶縁性フィルムの片面にベース金属層を密着形成し、他面にはマスク層を密着形成してなる3層基材を用い、?Aマスク層のみに平均径が500μm以下の微小貫通孔を形成して内層の絶縁性フィルムを貫通孔底部に露出させる工程と、?B露出した絶縁性フィルムにレーザー光を照射し、ベース金属層表面に達する貫通孔を形成する工程と、?Cマスク層を除去する工程と、?D貫通孔底部に露出するベース金属層表面を凹状にて研磨する工程と、?Eベース金属層を陰極として電解メッキを施して貫通孔内に金属物質を充填して導通路を形成する工程と、?Fベース金属層をエッチング除去する工程と、を含む異方導電フィルムの製造方法。
IPC (3件)：
H01B 13/00 503
, H01R 43/00
, H01R 11/01
