特許
J-GLOBAL ID：200903074093812750
プラズマ表面処理装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-071565
公開番号（公開出願番号）：特開平7-254588
出願日： 1994年03月16日
公開日（公表日）： 1995年10月03日
要約：
【要約】【目的】均一性なプラズマ表面処理を行なえるプラズマ表面処理装置を提供すること。【構成】プラズマにより被処理基体3の表面を処理するところの真空容器1と、この真空容器1の上壁を形成する上部電極7と、真空容器1内に設けられ、被処理基体3を載置する下部電極2と、下部電極2に接続した高周波電源5と、被処理基体3を囲むように配置されたE側の円弧状電極34aおよびW側の円弧状電極34bからなり、E側の円弧状電極34aの電位よりも、W側の円弧状電極34bの電位が高い電子密度制御用電極とを備えている。
請求項（抜粋）：
被処理基体が収容される処理室と、前記処理室内に電場を形成する電場形成手段と、前記処理室内に磁場を形成する磁場形成手段と、前記被処理基体の表面プラズマ処理に供するガスを前記処理室内に導入するガス導入手段と、複数の電極からなり、これら複数の電極の電位が、前記被処理基体の表面に生じる電場と前記磁場との外積の方向に向かって、全体として高くなっている電極とを具備してなることを特徴とするプラズマ表面処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/3065
, C23C 16/50
, H01L 21/31
H01L 21/302 B
, H01L 21/31 C
