特許
J-GLOBAL ID：200903074094909197
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-316839
公開番号（公開出願番号）：特開平9-162441
出願日： 1995年12月05日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：
【要約】【課題】 リーク電流の低減、及び活性層劣化を抑制。【解決手段】 MOCVD基板1に、選択的にイオン注入等を行い高抵抗領域9を作成した上で、アニールを行い高抵抗領域9と導伝領域との界面のダメージ緩和を行った後、高抵抗部分に沿ってチップを切出す。これにより、電流の流れる部分が側面に露出せず、リーク電流が大幅に抑制される。また、従来素子の場合、通電を続けると、エポキシ樹脂と素子の密着性が悪いために、空気中の酸素や水分の影響を受け、酸化し、着色する。このようになると、この部分から劣化が進み、信頼性が落ち、発光の出力も落ちてくる。この点、本発明によれば、発光層側面が結晶成長をした膜中にあるため、空気との接触はなく、側面劣化も抑制でき、信頼性が大幅に向上する。【効果】 側面部分に電流が流れず、リーク電流が減少され、また、活性層の劣化が抑制される。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に積層された半導体発光素子と、該半導体発光素子の光取出し部の周囲を囲むように設けられ該半導体発光素子の内部に延在する高抵抗領域とを備えている半導体装置。
引用特許：
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