特許

J-GLOBAL ID：200903074095881121

半導体装置の製造方法

発明者： 中野 正 ,  佐藤 伸良 ,  太田 与洋
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-068853
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283507
出願日： 1993年03月26日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：

【要約】【目的】 第1層間絶縁膜として埋め込み性が良好であるとともにボイドを有しない、平坦性も良好な優れた膜質のものを形成する。【構成】 シリコンウェファ11の表面に絶縁膜を形成するに当たり、まず下地酸化膜12を形成し、次いでこの下地酸化膜12の表面を有機化合物で処理した後、一分子内にSi並びにB,P,Ge及びAsから選ばれた少なくとも一種を含む化合物を原料として用いる化学気相成長により絶縁膜14を形成する。このように下地酸化膜表面12を有機化合物で処理することにより埋め込み性が良く、ボイドがなく、良好な膜質の絶縁膜を形成できる。

請求項（抜粋）：

半導体装置の絶縁膜を形成するに当たり、まず下地酸化膜を形成し、次いでこの下地酸化膜の表面を有機化合物で処理した後、一分子内にSi並びにB,P,Ge及びAsから選ばれた少なくとも一種を含む化合物を原料として用いる化学気相成長により絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/90