特許
J-GLOBAL ID：200903074100076593
半導体メモリ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-008122
公開番号（公開出願番号）：特開平5-198162
出願日： 1992年01月21日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：
【要約】【目的】ライトサイクル中にCASが立ち上がった場合新アドレスにより選択されたメモリセルへの誤ライトを防ぐ。【構成】CASの逆相信号により外部アドレスをラッチさせる第1のカラムアドレス取り込み回路10の出力信号4を更に、ライトスタート信号7によりラッチさせる第2のカラムアドレスラッチ回路20を介してカラムデコーダ30に入力させる。これによりCASが立ち上がっても、ライトスタート信号がリセットされないうちは新アドレスのデコーダへの入力が行なわれないため、新アドレスへの誤ライトを防ぐことができる。
請求項（抜粋）：
カラム・アドレス・ストローブ信号立ち上がり時に次サイクルで使用するカラム・アドレス信号を入力させる構成の半導体メモリにおいて、ライト・スタート信号がリセットされるまで前記カラム・アドレス・ストローブ信号が立ち上がっても新しいカラム・アドレス信号を内部デコーダに入力させないカラム・アドレス取り込み回路を備えたことを特徴とする半導体メモリ。
IPC (2件)：
G11C 11/401
, G11C 11/413
G11C 11/34 362 C
, G11C 11/34 301 A
