特許

J-GLOBAL ID：200903074102642200

電子ビーム露光装置

発明者： 鈴木 正平
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (1件)： 細江 利昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-356376
公開番号（公開出願番号）：特開平11-176720
出願日： 1997年12月10日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：

【要約】【課題】 スループットを低下させることなく近接効果の補正を行うことができ、しかも、クーロン効果によるボケを低減し、かつ、ビーム調整作業が容易で、ビーム位置が安定した電子ビーム露光装置を提供する。【解決手段】 マスク14より上流のクロスオーバ位置19にはアパーチャ18が設けられ、ウェハ17面にマスク14の像を形成する際の開き角は、アパーチャ18により決定される。マスク14のパターン以外の部分から生じた散乱電子23、24は、転写レンズ15を通り、アパーチャ21で端をカットされアパーチャ21の大きさで決まる開き角を持ってウェハ17上に結像する。この散乱電子23、24の開き角は、マスク14のパターン部を透過した電子ビーム22の開き角の数倍あるため、ボケを伴った像となり、ウェーハ17上のレジスト中の蓄積エネルギー分布を平にする。

請求項（抜粋）：

電子ビーム光学鏡筒のビーム通路に、電子がほとんど又は全て透過するパターン部と電子が散乱するパターン以外の部分からなるマスクが配置され、このマスクパターンはマスクより下流のレンズ系により被露光面上に結像転写されるように構成された電子ビーム露光装置であって、前記マスクより上流のクロスオーバ位置に、被露光面に像を形成する際の開き角を決定するためのアパーチャが設けられ、前記マスクより下流のクロスオーバ位置には、マスクからの散乱ビームの開き角を制限するアパーチャが設けられ、マスクより下流のクロスオーバ位置に設けられた前記アパーチャの大きさは、マスクパターン部を透過した電子の分布径よりも大きく、かつ、前記マスクパターン部を透過した電子が像形成面上で生じる近接効果が、マスクパターン部以外の部分から発生する散乱電子により補正されるような大きさとされていることを特徴とする電子ビーム露光装置。