発熱体駆動用半導体装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：谷義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-130289
公開番号（公開出願番号）：特開平6-069497
出願日： 1993年06月01日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：

【要約】【目的】ソースドレイン間の電界強度が弱く、耐圧が高い発熱体駆動用半導体装置を提供することを目的とする。【構成】基板200の上の一部にはN埋込み層201が形成され、このN埋込み層201の周辺部にはPエピタキシャル層202が形成されている。N埋込み層201の上部にはNエピ層203が形成され、このNエピ層203の周辺部であってN埋込み層201の周縁部の上部にはN型ドレイン204と接触するコンタクト層205が形成されている。Nエピ層203の上部にはP- 層206が形成されている。このP- 層206は、P型ゲート207と、そのP型ゲート207の両側に形成されたN型ソース208およびN型ドレイン209とを含む。

請求項（抜粋）：

第1の主電極領域を含む第1導電型の第1の半導体領域内に設けられたチャネル領域を含む第2導電型の第2の半導体領域と、該第2の半導体領域内に設けられた第2の主電極領域と、該第1および第2の主電極領域間にある前記チャネル領域上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、を有し、前記第1の主電極領域における前記チャネル領域と接する側の部分が高抵抗領域であるトランジスタを具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/784 , B41J 2/37 , H03K 17/693 , B41J 2/05 , H01L 49/02

FI (3件)：

H01L 29/78 301 D , B41J 3/20 115 B , B41J 3/04 103 B

引用特許：

審査官引用 (12件)

特開昭62-165363
特開平2-283074
特開平3-224741

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