特許
J-GLOBAL ID:200903074109312656
半導体装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
楠本 高義
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-273201
公開番号(公開出願番号):特開平9-116180
出願日: 1995年10月20日
公開日(公表日): 1997年05月02日
要約:
【要約】【課題】 耐候性、耐水蒸気耐湿性などに優れるとともに、安価な半導体装置を提供するために、裏面カバーの構成を開発することにある。【解決手段】 透明電極14と半導体層16と裏面電極18とが積層されて成る太陽電池20の透明電極14側に透明絶縁基板12を配設するとともに、該裏面電極18側を熱硬化性樹脂層22又は熱可塑性樹脂層(22)にて覆い、且つ該樹脂層22の表面側にガラスクロス24又はガラスマット(24)を少なくとも接触側が該樹脂を含浸させて配設して半導体装置10を構成した。
請求項(抜粋):
第1電極と半導体層と第2電極とが積層されて成る太陽電池の光入射側となる電極側に透明絶縁基板を配設するとともに、該他方の電極側を熱硬化性樹脂層又は熱可塑性樹脂層にて覆い、且つ該樹脂層の表面側にガラスクロス又はガラスマットを少なくとも接触側が該樹脂を含浸させて配設したことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件):
H01L 31/04
, H01L 23/29
, H01L 23/31
FI (2件):
H01L 31/04 F
, H01L 23/30 B
引用特許: