特許
J-GLOBAL ID：200903074117531391
半導体集積回路装置の製造方法および製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-291949
公開番号（公開出願番号）：特開平7-142363
出願日： 1993年11月22日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：
【要約】【目的】 測定対象薄膜の膜厚、屈折率および吸収係数を決定する場合に、測定に必要な反射率の入射角依存特性を精度良く求め、この特性値に基づいて露光・現像工程のパラメータを制御できる半導体集積回路装置の製造技術を提供する。【構成】 レジスト塗布、ベーク、露光および現像工程のフォトリソグラフィ設備において、薄膜特性値測定部17は、光源21、コリメート用レンズ22、偏光板23、波長限定用光学素子24、照明側レンズ25、検出側レンズ26、反射光強度検出器27、レジスト膜または参照ウェハ反射光強度測定結果格納用記憶部28,29、レジスト膜反射率または特性値演算部30,31から構成され、照明側レンズ25による収束光が半導体ウェハ18上のレジスト膜19または参照ウェハ32面上に照射され、広い範囲の入射角に対応する反射光強度が同時に測定され、レジスト膜19の反射率の入射角依存特性が測定される。
請求項（抜粋）：
光源から照射される収束光を露光光として試料上の薄膜上にマスク上のパターンを転写する半導体集積回路装置の製造方法であって、実際に前記試料上の薄膜を露光・現像させることなく、前記露光光と実質的に同じ波長の光を前記薄膜に照射し、この照射による透過光または反射光から前記薄膜の特性値を検出し、この検出結果に基づいて露光・現像工程のパラメータを制御することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, G03F 7/20 521
, H01L 21/66
