特許
J-GLOBAL ID：200903074120935231
多層膜磁気抵抗効果素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
熊谷 隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-251320
公開番号（公開出願番号）：特開平8-088424
出願日： 1994年09月20日
公開日（公表日）： 1996年04月02日
要約：
【要約】【目的】 磁場感度が十分でヒステリシスが小さい多層膜磁気抵抗効果素子を提供すること。【構成】 磁性層45,47,49,・・・と非磁性層43,43,・・・を蒸着やスパッタ法などを用いて交互に積層してなる多層膜磁気抵抗効果素子である。各磁性層45,47,49,・・・を成膜する際、外部磁場を印加して該外部磁場の印加方向に磁性層の磁化容易軸を誘導するが、このとき、各磁性層45,47,49,・・・の積層順に磁化容易軸を交互にほぼ直交する方向に誘導する。
請求項（抜粋）：
磁性層と非磁性層を交互に積層してなる多層膜磁気抵抗効果素子において、前記積層した各磁性層は、積層順に磁化容易軸を交互にほぼ直交する方向に誘導せしめられていることを特徴とする多層膜磁気抵抗効果素子。
IPC (3件)：
H01L 43/08
, G01R 33/09
, H01L 43/12
