特許
J-GLOBAL ID：200903074122024147
イオン感応性電界効果型トランジスタ用イオン感応膜の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-060530
公開番号（公開出願番号）：特開平6-273376
出願日： 1993年03月19日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：
【要約】【構成】 蒸着重合可能な官能基を有するイオノフォア化合物を、蒸着重合させてイオン感応膜を成膜することを特徴とし、好ましくは予め疎水性および/または結晶性ポリマー膜を形成した上に上記イオン感応膜を成膜させる方法である。【効果】 イオン感応膜中のイオノフォアを化学結合させるので、膜外へ溶出することが防止されイオン感応機能を長期間持続できるようになる。また、イオン感応膜は蒸着重合によって形成されるので、基体との密着性に優れる均一な薄膜となる。さらに、低温度でイオン感応膜が形成できるので、蒸着時の熱でFET素子(半導体)そのものが損傷することが抑制でき、絶縁ゲート部分に密着性に優れた薄膜のイオン感応膜が形成できて、高感度のISFETが得られる。
請求項（抜粋）：
蒸着重合可能な官能基を有するイオノフォア化合物を、蒸着重合させることを特徴とするイオン感応性電界効果型トランジスタ用イオン感応膜の製造方法。
FI (2件)：
G01N 27/30 301 G
, G01N 27/30 301 V
