特許
J-GLOBAL ID：200903074122659029
半導体装置製造方法、及び半導体装置製造装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
鈴江 武彦
, 村松 貞男
, 坪井 淳
, 橋本 良郎
, 河野 哲
, 中村 誠
, 河井 将次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-244017
公開番号（公開出願番号）：特開2004-087611
出願日： 2002年08月23日
公開日（公表日）： 2004年03月18日
要約：
【課題】この発明は、封止樹脂内に気泡を巻き込むことなく、半導体素子のマウントに要する時間を短縮することができる半導体装置の製造方法を提供することにある。【解決手段】半導体素子Iを基板Wにフリップチップ実装する半導体装置製造方法において、液状の封止樹脂11を上記基板Wの表面に供給する供給工程と、上記半導体素子Iをボンディングヘッド4で保持し、上記封止樹脂の上から上記基板Wに押圧する押圧工程とを具備し、上記押圧工程では、上記半導体素子Iを第1の速度で上記封止樹脂に接触させ、その後、この半導体素子Iを上記第1の速度よりも大きい第2の速度で下降させて基板W表面に接合する。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
半導体素子を基板にフリップチップ実装する半導体装置製造方法において、
液状の樹脂材を上記基板の表面に供給する供給工程と、
上記半導体素子をボンディングヘッドで保持し、上記樹脂材の上から上記基板に押圧する押圧工程と
を具備し、
上記押圧工程では、上記半導体素子を第1の速度で上記樹脂材に接触させ、その後、この半導体素子を上記第1の速度よりも大きい第2の速度で下降させて基板表面に接合することを特徴とする半導体装置製造方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L21/60 311T
, H01L21/60 311S
