特許

J-GLOBAL ID：200903074123430718

半導体装置

発明者： 高橋 仁 ,  高木 洋介
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-157260
公開番号（公開出願番号）：特開平9-008075
出願日： 1995年06月23日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：

【要約】【目的】 複数設けた出力導線の溶断を防止して、実装した機器、システム等の停止を引き起こさないようにした半導体装置を提供する。【構成】 出力部11のパワーMOSFET12a,12b,12cの出力パッド13a,13b,13cと外部端子15とを接続するボンディングワイヤ16a,16b,16cが、それぞれ過電流制限部の過電流検出保護回路17a,17b,17cによって各ボンディングワイヤ16a,16b,16cを流れる電流値が許容電流値以下に制限されるので、これによりボンディングワイヤ16a,16b,16cの中に断線や接続不良等があると他の健全なワイヤを流れる電流値が増加するが、過電流制限部によって健全なワイヤの電流値の増加が検出され、さらに電流値が許容電流値以下に制限されることになり、これによりワイヤに許容値を越える電流が流れることがなく、その溶断が防止しできる。

請求項（抜粋）：

単一の入力端子を備えた出力部のパワー半導体素子の出力端子と外部端子とを複数の出力導線により接続してなる半導体装置において、前記各出力導線は過電流制限部によって該各出力導線を流れる電流値が所定電流値以下に制限されるよう構成されていることを特徴とする半導体装置。