特許

J-GLOBAL ID：200903074126091272

強誘電体コンデンサ及びその形成方法

発明者： マリア・ハフマン
出願人/特許権者： ラムトロン・インターナショナル・コーポレーション
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-099773
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021391
出願日： 1993年04月26日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：

【要約】【目的】 低コストで、かつ、剥離の生じない強誘電体コンデンサ。【構成】 強誘電体メモリ素子用の強誘電体コンデンサは、基板と、シリカ層と、パラジウムの接着層と、白金、金属又は合金から成る下部電極と、強誘電体層と、白金、金属又は合金から成る上部電極とを備えている。

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板の上側に位置する二酸化ケイ素層と、前記二酸化ケイ素層上に位置してパラジウムから成る接着層と、前記接着層上に位置する下部電極と、前記下部電極上に位置する強誘電体層と、前記強誘電体層上に位置する上部電極とを備えたことを特徴とする強誘電体コンデンサ。

IPC (3件)：

H01L 27/108 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/10 451