特許

J-GLOBAL ID：200903074129459491

ウェ-ハ面取り用砥石およびウェ-ハの面取り方法

発明者： 松本 昌幸 ,  北村 芳樹 ,  杉谷 和明 ,  龍田 次郎 ,  太田 清正
出願人/特許権者： 三菱マテリアルシリコン株式会社 ,  三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-358297
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189508
出願日： 1996年12月26日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】 ウェーハ面取り用砥石の砥石寿命を向上させる。半導体ウェーハの面取り面の面粗度を高める。面取り加工時間を短縮する。【解決手段】 まず、シリコンウェーハWの外周を粗めのフラット面砥石である粗粒部22にてトラバース研削する。外周研削により所定の直径出しを行う。次に、細かな砥石である細粒部23にてこのウェーハWの外周を研削して面取り面を形成する。具体的には、ウェーハ外周の上面側の角部を上側の傾斜側壁26で研削し、次に、ウェーハ外周の下面側の角部を下側の傾斜側壁26で研削する。この結果、所定形状の面取り面が形成されたウェーハWを作製できる。砥石およびウェーハにかかる負担が小さくなる。その砥石寿命が長くなり、かつ面粗度の平均値も小さくなる。面取り面の面粗度を落さずに、その能率を向上できる。

請求項（抜粋）：

円筒の外周面である砥石作用面に、粗い砥粒が接着固定された粗粒部と、これより細かい砥粒が接着固定された細粒部とを有し、砥石軸を中心に回転してこの砥石作用面で半導体ウェーハの外周を研削するウェーハ面取り用砥石であって、上記細粒部に平底状断面を有する溝を形成したウェーハ面取り用砥石。

IPC (5件)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  B24B 9/00 601 ,  B24D 7/14 ,  B24D 7/18

FI (5件)：

H01L 21/304 321 P ,  H01L 21/304 321 M ,  B24B 9/00 601 H ,  B24D 7/14 ,  B24D 7/18 Z