特許
J-GLOBAL ID:200903074132991536

蒸着薄膜の障壁特性を高めるプラズマアニーリング法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 中村 稔 (外7名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-249822
公開番号(公開出願番号):特開平6-077216
出願日: 1991年09月27日
公開日(公表日): 1994年03月18日
要約:
【要約】【目的】 基板上の窒化チタンなどの真空蒸着材の薄膜の特性を、膜を真空の環境から取り出すことなく、薄膜のプラズマあるいは熱アニーリングにより高めること。【構成】 アニーリング段階は、基板が真空の環境にある状態で、チャンバーの間を転送され得ることを条件として、スパッタ蒸着として同一真空チャンバー内か、あるいは、異なる真空チャンバー内で行われる。
請求項(抜粋):
基板上の薄膜の特性を高める方法において、(a) 真空の環境において材料の薄膜を基板上に真空蒸着し、且つ、(b) 基板を真空の環境から取り出すことなく、スパッタ蒸着された薄膜をアニーリングすることより成ることを特徴とする方法。
IPC (4件):
H01L 21/318 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/203

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