フォトレジスト膜除去方法およびそのための装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：青山葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-321876
公開番号（公開出願番号）：特開2000-147793
出願日： 1998年11月12日
公開日（公表日）： 2000年05月26日
要約：

【要約】【課題】原料の使用量や換気設備のためのコストが低減でき、環境に優しくかつ除去効率の高いフォトレジスト膜除去方法およびそのための装置を提供すること。【解決手段】密閉された系内において、フォトレジスト膜を有する基板表面をフォトレジスト膜除去溶液と接触し得るように配置させ、かつ該溶液の液面付近でオゾンをガスおよび/または溶液に混入させた状態で存在させ、前記基板表面と前記溶液の液面との相対位置を変化させてフォトレジスト膜を分解し除去するフォトレジスト膜除去方法であって、前記相対位置を、基板底部が前記溶液の液面上に存在する位置から基板上部が前記溶液の液面下にある位置までの任意の範囲において連続してまたは断続的に変化させることを特徴とするフォトレジスト膜除去方法。

請求項（抜粋）：

密閉された系内において、フォトレジスト膜を有する基板表面をフォトレジスト膜除去溶液と接触し得るように配置させ、かつ該溶液の液面付近でオゾンをガスおよび/または溶液に混入させた状態で存在させ、前記基板表面と前記溶液の液面との相対位置を変化させてフォトレジスト膜を分解し除去するフォトレジスト膜除去方法であって、前記相対位置を、基板底部が前記溶液の液面上に存在する位置から基板上部が前記溶液の液面下にある位置までの任意の範囲において連続してまたは断続的に変化させることを特徴とするフォトレジスト膜除去方法。

IPC (6件)：

G03F 7/42 , G03F 7/30 501 , H01L 21/027 , H01L 21/3065 , H01L 21/306 , C23F 1/00 104

FI (6件)：

G03F 7/42 , G03F 7/30 501 , C23F 1/00 104 , H01L 21/30 572 B , H01L 21/302 H , H01L 21/306 Z

Fターム (29件)：

2H096AA25 , 2H096HA18 , 2H096HA20 , 2H096HA30 , 2H096LA03 , 4K057WA01 , 4K057WB06 , 4K057WC10 , 4K057WK10 , 4K057WM03 , 4K057WM04 , 4K057WM18 , 4K057WN01 , 5F004BC07 , 5F004BD01 , 5F004DB23 , 5F004DB26 , 5F004EA10 , 5F043AA02 , 5F043AA31 , 5F043CC16 , 5F043DD19 , 5F043EE06 , 5F043EE36 , 5F046MA02 , 5F046MA03 , 5F046MA05 , 5F046MA07 , 5F046MA10

前のページに戻る