特許
J-GLOBAL ID：200903074140832439
半導体集積回路用受動素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-340037
公開番号（公開出願番号）：特開平6-188366
出願日： 1992年12月21日
公開日（公表日）： 1994年07月08日
要約：
【要約】【目的】 半導体受動素子の作成による素子段差を低減し、かつ工程数を増加させずに配線抵抗の変動をなくす。【構成】 容量素子絶縁物質を堆積した後にその加工を行なうことなく下層配線の電気接触領域にのみ金属との熱反応あるいは機械的衝撃を加えることにより下層配線との電気的接触を得る。
請求項（抜粋）：
半導体主面上に集積回路素子として容量素子を形成する工程に於いて、その容量素子絶縁物質としてTaまたはTiの酸化物により構成される絶縁物を用いて、容量素子第1層金属を含む第1の配線の形成後全面堆積する工程と、第1層配線と第2の配線との接合点に、前記絶縁物に対し熱的に反応を生じ、導通状態を実現する金属を堆積する工程と、局所的に接合点のみを加熱するあるいは全面の熱処理を行う工程と、容量素子第2層金属及び第2の配線を形成する工程とを順次行うことを特徴とする半導体集積回路用受動素子の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 27/04
, H01L 21/3205
