特許

J-GLOBAL ID：200903074141149686

像投影方法及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法

発明者： 早田 滋
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 高梨 幸雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-225222
公開番号（公開出願番号）：特開平5-047626
出願日： 1991年08月09日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：

【要約】【目的】 パターン形状方向により最適な照明方法を用いて高解像力で投影露光が可能な像投影方法及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法を得ること。【構成】 微細パターンを照明し、微細パターンで生じる回折光を投影光学系の瞳に入射させて微細パターンの像を投影する像投影方法において、瞳に以下の条件をほぼ満たす8個の部分を備える有効光源を形成する光で微細パターンを照明すること。条件:瞳の中心を原点とし微細パターンの縦横パターンの各方向にx、y軸を有するxy座標系を定めた時に、8個の部分の各々が(a,b)、(b,a)、(-b,a)、(-a,b)、(-a,-b)、(-b,-a)、(b,-a)、(a,-b)の位置近傍にあり、8個の部分の光量が互いにほぼ等しいこと。

請求項（抜粋）：

微細パターンを照明し、該微細パターンで生じる回折光を投影光学系の瞳に入射させて該微細パターンの像を投影する像投影方法において、前記瞳に以下の条件をほぼ満たす8個の部分を備える有効光源を形成する光で前記微細パターンを照明することを特徴とする像投影方法。条件:前記瞳の中心を原点とし前記微細パターンの縦横パターンの各方向にx、y軸を有するxy座標系を定めた時に、前記8個の部分の各々が(a,b)、(b,a)、(-b,a)、(-a,b)、(-a,-b)、(-b,-a)、(b,-a)、(a,-b)の位置近傍にあり、前記8個の部分の光量が互いにほぼ等しいこと。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G02B 27/42 ,  G03F 7/20 521

FI (2件)：

H01L 21/30 311 L ,  H01L 21/30 311 S