特許
J-GLOBAL ID:200903074142145641
高解像度パターン付け方法
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (5件):
川口 義雄
, 一入 章夫
, 小野 誠
, 大崎 勝真
, 坪倉 道明
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-540410
公開番号(公開出願番号):特表2005-507462
出願日: 2002年10月25日
公開日(公表日): 2005年03月17日
要約:
本発明は、触媒反応によって基板上に材料の高解像度パターンを形成する方法に関する。基板材料の表面上で起こる、たとえば自己触媒被覆反応など、多くのタイプの触媒反応が存在し、そのような反応を用いて、気体、液体または固体環境中で反応速度を上げるかまたは活性化することができる。一般に、かかる反応では、使用される前記触媒材料は、前記基板材料の全体に塗布され、またはその全体に作用し、その結果、前記反応は前記基板の全体にわたって生じる。したがって、その反応が、前記基板の前記表面の一部でのみ生じる必要がある場合、エッチングやフォトリソグラフィなどの追加のプロセスを実施する必要がある。これらのことは、前記反応の複雑さを増加させ、コストに影響し、廃棄物を発生させる。したがって、上記欠点のいくつかを緩和する、基板の所定の領域上で触媒反応を開始することができるような基板材料を調製する方法を提供することが、本発明の一目的である。
請求項(抜粋):
基板材料の一部または全部を、触媒材料で被覆する段階を含み、ビーム書き込みプロセスを使用して、触媒材料が所定のパターンで基板上に析出するように、触媒材料を前記基板の表面上に物理的に移動させる、基板がその表面の所定の領域上で触媒反応を引き起こすことができるように、基板を調製する方法。
IPC (3件):
C23C18/18
, C23C18/16
, C23C18/31
FI (3件):
C23C18/18
, C23C18/16 Z
, C23C18/31 Z
Fターム (14件):
4K022AA37
, 4K022BA01
, 4K022BA03
, 4K022BA06
, 4K022BA08
, 4K022BA14
, 4K022CA06
, 4K022CA07
, 4K022CA12
, 4K022CA18
, 4K022CA21
, 4K022DA01
, 4K022DB01
, 4K022EA04
前のページに戻る