特許
J-GLOBAL ID：200903074142222298
半導体基体及びその作製方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-046300
公開番号（公開出願番号）：特開平5-217826
出願日： 1992年01月31日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、貼り合わせ法によって得られる半導体基体とその作製方法に関し、貼り合わせる基体表面の凹凸に起因する微小なボイドの発生を抑制した半導体基体及びその作製方法を提供することを目的とする。また同時に半導体と熱膨張係数の異なる基体上に半導体単結晶膜を形成する際の基体にかかる応力の緩和した半導体基体及びその作製方法を提供することを目的とする。【構成】 基体表面に形成された絶縁層の表面にのみ、ほう素または燐の内少なくとも1種を付与した第1の基体を、第2の基体に接触させた後、加熱処理することにより、合体せしめることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
基体表面に形成された絶縁層の表面にのみ、ほう素または燐の内少なくとも1種を付与した第1の基体を、第2の基体に接触させた後、加熱処理することにより、合体せしめることを特徴とする半導体基体の作製方法。
IPC (3件)：
H01L 21/02
, H01L 27/12
, H01L 21/304 321
