特許
J-GLOBAL ID:200903074146262693

長波長半導体発光素子

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-395421
公開番号(公開出願番号):特開2003-158345
出願日: 2001年11月19日
公開日(公表日): 2003年05月30日
要約:
【要約】【課題】従来より,各種の発光素子が光通信用として開発されてきている。しかし波長多重通信に用いるには,発光波長が環境温度によって変化してしまう等の問題があった。複数の波長を持つ光波を同時に送信する場合には,この波長の温度変化が光波間の混信を起こすため,波長多重通信には発光素子の温度制御が不可欠であった。このような課題を解決する有力な方法は,半導体発光素子を広い波長帯域で発光させ,外部に温度変化に対して安定な光フィルターを付け加え波長多重通信用の特定の波長を選ぶことであるが,光通信に使われる長波長領域において広い波長領域で発光する発光素子がないという制限があった。【解決手段】この発明は,上記の課題を解決するものとして,セレンと窒素を同時に化合物半導体に添加し,その上下から化合物半導体を積層してなることを特徴とする半導体発光素子を提供する。またこの発明においては,前記セレンと窒素を同時に添加した化合物半導体層を挟む上下の化合物半導体層でpn接合を形成することをその一つの態様ともしている。
請求項(抜粋):
窒素とセレンを含む化合物半導体層を,その上下から化合物半導体層を積層してなることを特徴とする長波長半導体発光素子。
IPC (2件):
H01S 5/323 610 ,  H01L 33/00
FI (2件):
H01S 5/323 610 ,  H01L 33/00 C
Fターム (15件):
5F041AA11 ,  5F041AA12 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA36 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041FF14 ,  5F073AA45 ,  5F073AA76 ,  5F073BA01 ,  5F073CA17 ,  5F073DA05 ,  5F073DA06 ,  5F073EA02

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