特許
J-GLOBAL ID：200903074157908935
発光ダイオードの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-041719
公開番号（公開出願番号）：特開平9-237918
出願日： 1996年02月28日
公開日（公表日）： 1997年09月09日
要約：
【要約】【課題】 ダイシングによる加工ダメージ層のエッチング不良の発生を無くすることができる発光ダイオードの製造方法を提供する。【解決手段】 表面を結晶成長させた半導体角基板1上に、その角基板1の辺10に対して約45度又は約135度となる方向に配列するように発光ダイオード用電極5を設け、その電極5の配列に対して平行又は垂直方向にダイシング溝9を形成し、その溝のダイシングにより発生した加工ダメージ層をエッチングにより除去した後、ダイシングする。
請求項（抜粋）：
表面を結晶成長させた半導体角基板上に、その角基板の辺に対して約45度又は約135度となる方向に配列するように発光ダイオード用電極を設け、その電極の配列に対して平行又は垂直方向に電極間をダイシングすることを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L 33/00 E
, H01L 21/78 Q
, H01L 21/78 S
, H01L 21/78 L
